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IXBOD1-21D

更新时间： 2024-02-26 03:18:15

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
8页	252K
描述
Breakover Diode, 2150V V(BO) Max

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IXBOD1-21D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	最大转折电压：	2150 V
最大维持电流：	30 mA	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	子类别：	Breakover Diodes
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

IXBOD1-21D 数据手册

Application

Protection of thyristors against overvoltages in forward

direction.

Thyristor

BOD

V_BO(T_VJ) = V_{BO, 25°C}[1+KT(T_VJ- 25°C)]

V_D

Calculation example

a. The maximum junction temperature shall be

calculated for a module IXBOD 1 -30R at an

ambient temperature T_a= 60 °C, an exponentially

decaying current I_TM= 40A, a pulsewidth tp = 2 µs,

an operating frequency f = 50 Hz and natural

convection. From the diagram Fig. 6 the energy per

pulse is obtained:

b. If following these steady-state conditions an

overload for 1 minute occurs with I_TM= 60 A and a

pulse-width tp = 4 µs at the same operating

frequency f = 50 Hz, then the resulting maximum

junction temperature is calculating as follows:

T_VJmax2= T_VJmax1+ (E_p2-E_p1) • n • f •Z_thJA(t) + Kp • (E_p2-E_p1)

The diagrams Fig. 11 and Fig. 8 show

E_p1= 6 x 10^-3Ws

For a module IXBOD1-30R the number of single

IXBOD elements is:

E_p2= 14x10^-3Ws

n = 3

Z_thJA(t = 1min) = 12K/W

At natural air cooling the thermal resistance junction

to ambient amounts to (Fig.8):

From what follows:

R_thJA= 20K/W

T_VJmax2= 82.2 + 14.4 + 5,6 = 102.2 °C

and the unknown temperature can be calculated as:

T_VJmax1= T_a+ n • f • E_p• R_thJA+ K_p• E_p

T_VJmax1= 60 + 18 + 4.2 = 82.2°C

which is allowed because the maximum admissible

junction temperature T_VJM= 125 °C.

H - 6

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