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ITS4060SSJNXUMA1 PDF预览

ITS4060SSJNXUMA1

更新时间： 2024-01-06 03:03:33
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON PC驱动光电二极管接口集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 1557K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, 3.1A, CMOS, PDSO8, SOP-8

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ITS4060SSJNXUMA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SOP,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：1.64
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：611678Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：PG-DSO-8Samacsys Released Date：2017-01-16 17:52:54
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3长度：5 mm
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE
标称输出峰值电流：3.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压：34 V
最小供电电压：5 V标称供电电压：13.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
断开时间：230 µs接通时间：180 µs
宽度：4 mmBase Number Matches：1

ITS4060SSJNXUMA1 数据手册

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ITS4060S-SJ-N  
General Product Characteristics  
4
General Product Characteristics  
4.1  
Absolute Maximum Ratings  
Table 1  
Absolute maximum ratings 1) at Tj = 25°C unless otherwise specified. Currents flowing into the  
device unless otherwise specified in chapter “Block Diagram and Terms”  
Parameter  
Symbol  
Values  
Typ.  
Unit Note /  
Test Condition  
Number  
Min.  
Max.  
Supply voltage VS  
Voltage  
VS  
–
–
–
–
40  
36  
V
V
4.1.1  
Voltage for short circuit protection  
Output stage OUT  
VSSC  
-40°C < Tj < 150°C 4.1.2  
Output Current; (Short circuit current  
see electrical characteristics)  
IOUT  
–
–
self  
limited  
A
4.1.3  
Input IN  
Voltage  
VIN  
IIN  
-10  
-5  
–
–
16  
5
V
4.1.4  
4.1.5  
Current  
mA  
Temperatures  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Power dissipation  
Ta = 25 °C2)  
Tj  
-40  
-55  
–
–
125  
125  
°C  
°C  
4.1.6  
4.1.7  
Tstg  
P tot  
–
–
–
–
1.5  
W
4.1.8  
4.1.9  
Inductive load switch-off energy dissipation  
Tj = 125 °C; VS=13.5V; IL= 1.5A3)  
EAS  
900  
mJ  
single pulse  
ESD Susceptibility  
ESD susceptibility (input pin)  
ESD susceptibility (all other pins)  
VESD  
VESD  
-1  
-5  
–
–
1
5
kV  
kV  
HBM4)  
HBM4)  
4.1.10  
4.1.11  
1) Not subject to production test, specified by design  
2) Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6 cm2 (one layer, 70mm thick) copper area for Vbb connection. PCB  
is vertical without blown air  
3) Not subject to production test, specified by design  
4) ESD susceptibility HBM according to EIA/JESD 22-A 114.  
Note:Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.  
Integrated protection functions are designed to prevent IC destruction under fault conditions described in the  
data sheet. Fault conditions are considered as “outside” the normal operating range. Protection functions  
are neither designed for continuous nor repetitive operation.  
Data Sheet  
5
Rev 1.0, 2012-09-01  
 
12345678...20

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