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ISL9000AIRFJZ

更新时间： 2024-02-11 17:49:34
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
11页 227K
描述
Dual LDO with Low Noise, Very High PSRR, and Low IQ

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ISL9000AIRFJZ 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFN包装说明：HVSON, SOLCC10,.11,20
针数：10Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.67可调性：FIXED
最大回动电压 1：0.5 V标称回动电压 1：0.3 V
最大回动电压 2：0.325 V最大绝对输入电压：7.1 V
最大输入电压：6.5 V最小输入电压：2.3 V
JESD-30 代码：S-PDSO-N10JESD-609代码：e3
长度：3 mm湿度敏感等级：1
功能数量：1输出次数：2
端子数量：10工作温度TJ-Max：125 °C
工作温度TJ-Min：-40 °C最大输出电流 1：0.3 A
最大输出电流 2：0.3 A最大输出电压 1：1.8833 V
最小输出电压 1：1.8167 V标称输出电压 1：1.85 V
最大输出电压 2：2.9522 V最小输出电压 2：2.8478 V
标称输出电压 2：2.9 V封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装等效代码：SOLCC10,.11,20
封装形状：SQUARE封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified调节器类型：FIXED POSITIVE MULTIPLE OUTPUT LDO REGULATOR
座面最大高度：1 mm子类别：Other Regulators
表面贴装：YES技术：CMOS
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：NO LEAD
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：1.8%
宽度：3 mmBase Number Matches：1

ISL9000AIRFJZ 数据手册

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ISL9000A  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
Supply Voltage (VIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +7.1V  
Thermal Resistance (Notes 1, 2)  
θ
(°C/W)  
50  
θ
(°C/W)  
10  
JA  
JC  
All Other Pins . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 to (V +0.3)V  
IN  
3x3 DFN Package . . . . . . . . . . . . . . . .  
Junction Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +125°C  
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C  
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C  
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . +300°C  
Recommended Operating Conditions  
Ambient Temperature Range (T ) . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C  
A
Supply Voltage (VIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 to 6.5V  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
NOTES:  
1. θ is measured in free air with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board with “direct attach” features. See  
JA  
Tech Brief TB379.  
2. θ , “case temperature” location is at the center of the exposed metal pad on the package underside. See Tech Brief TB379.  
JC  
Electrical Specifications Unless otherwise noted, all parameters are guaranteed over the operational supply voltage and temperature  
range of the device as follows:  
T
= -40°C to +85°C; V = (V +0.5V) to 6.5V with a minimum V of 2.3V; C = 1µF; C = 1µF;  
A
IN  
O
IN  
IN  
O
C
= 0.01µF; C  
POR  
= 0.01µF  
BYP  
PARAMETER  
DC CHARACTERISTICS  
Supply Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
V
2.3  
6.5  
V
IN  
Ground Current  
Quiescent condition: I = 0μA; I = 0μA  
O1 O2  
I
One LDO active  
Both LDO active  
@+25°C  
25  
42  
32  
52  
μA  
μA  
μA  
V
DD1  
DD2  
DDS  
I
Shutdown Current  
UVLO Threshold  
I
0.1  
2.1  
1.8  
1.0  
V
1.9  
1.6  
2.3  
UV+  
V
2.0  
V
UV-  
Regulation Voltage Accuracy  
Initial accuracy at V = V +0.5V, I = 10mA, T = +25°C  
IN  
-0.7  
-0.8  
-1.8  
+0.7  
+0.8  
+1.8  
%
%
%
O
O
J
V
= V +0.5V to 5.5V, I = 10μA to 300mA, T = +25°C  
IN  
O
O
J
V
= V +0.5V to 5.5V, I = 10μA to 300mA,  
IN  
O
O
T = -40°C to +125°C  
J
Maximum Output Current  
Internal Current Limit  
I
Continuous  
300  
350  
mA  
mA  
mV  
mV  
mV  
°C  
MAX  
I
V
V
V
T
475  
300  
250  
200  
145  
110  
600  
500  
400  
325  
LIM  
Dropout Voltage (Note 4)  
I
I
I
= 300mA; V < 2.5V  
O
DO1  
DO2  
DO3  
SD+  
O
O
O
= 300mA; 2.5V ≤ V ≤ 2.8V  
O
= 300mA; V > 2.8V  
O
Thermal Shutdown Temperature  
T
°C  
SD-  
AC CHARACTERISTICS  
Ripple Rejection (Note 3)  
I
= 10mA, V = 2.8V(min), V = 1.8V, C = 0.1µF  
IN BYP  
O
O
@ 1kHz  
90  
70  
50  
30  
dB  
dB  
@ 10kHz  
@ 100kHz  
dB  
Output Noise Voltage (Note 3)  
I
= 100µA, V = 1.5V, T = 25°C, C = 0.1µF  
BYP  
μVrms  
O
O
A
BW = 10Hz to 100kHz  
DEVICE START-UP CHARACTERISTICS  
Device Enable TIme  
T
Time from assertion of the ENx pin to when the output voltage  
reaches 95% of the VO(nom)  
250  
500  
μs  
EN  
FN6391.0  
January 10, 2007  
3
1234567...11

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