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ISL71090SEHX50SAMPLE

更新时间： 2024-02-01 14:22:07
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英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
13页 391K
描述
RH voltage regulators precision outputs

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ISL71090SEHX50SAMPLE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：DIE,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：USML XV(E)HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.7模拟集成电路 - 其他类型：THREE TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代码：R-XUUC-N10JESD-609代码：e4
功能数量：1输出次数：1
端子数量：10最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电压：5.0074 V
最小输出电压：5.0024 V标称输出电压：5.005 V
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIE
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大供电电压 (Vsup)：30 V
最小供电电压 (Vsup)：7 V标称供电电压 (Vsup)：10 V
表面贴装：YES技术：BIPOLAR
最大电压温度系数：10 ppm/ °C温度等级：MILITARY
端子面层：Gold (Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
总剂量：100k Rad(Si) V微调/可调输出：YES
Base Number Matches：1

ISL71090SEHX50SAMPLE 数据手册

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ISL71090SEH50  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
Maximum Voltage  
Thermal Resistance (Typical)  
8 Ld Flatpack Package (Notes 3, 4). . . . . .  
Storage Temperature Range. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C  
Maximum Junction Temperature (TJMAX). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+150°C  
JA (°C/W)  
JC (°C/W)  
15  
VIN to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +40V  
V
IN to GND at an LET = 86MeV•cm2/mg . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +36V  
VOUT to GND (10s). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.5V to VOUT + 0.5V  
140  
Voltage on any Pin to Ground . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5V to +VOUT + 0.5V  
Voltage on DNC Pins . . . . . . . . . . . . No connections permitted to these pins  
ESD Ratings  
Recommended Operating Conditions  
Human Body Model (Tested per MIL-PRF-883 3015.7). . . . . . . . . . . 2kV  
Machine Model (Tested per JESD22-A115-A). . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Charged Device Model (Tested per JESD22-C101D)). . . . . . . . . . . 750V  
VIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.0V to +30V  
Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55°C to +125°C  
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product  
reliability and result in failures not covered by warranty.  
NOTES:  
3. JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.  
4. For JC, the “case temp” location is the center of the ceramic on the package underside.  
5. Product capability established by initial characterization. The “EH” version is acceptance tested on a wafer-by-wafer basis to 50krad(Si) at low dose rate.  
6. The output capacitance used for SEE testing is CIN = 0.1µF and COUT = 1µF.  
Electrical Specifications for Flatpack VIN = 10V, IOUT = 0mA, CL = 0.1µF and CC = 1nF unless otherwise specified. Boldface  
limits apply after radiation at +25°C and across the operating temperature range, -55°C to +125°C without radiation, unless otherwise specified.  
MIN  
MAX  
PARAMETER  
VOUT  
DESCRIPTION  
Output Voltage  
VOUT Accuracy at TA = +25°C  
TEST CONDITIONS  
(Note 7)  
TYP  
(Note 7)  
UNIT  
V
5.005  
VOA  
VOUT = 5.005V, (Note 10)  
-0.05  
-0.15  
-0.3  
+0.05  
+0.15  
+0.3  
%
VOUT Accuracy at TA = -55°C to +125°C VOUT = 5.005V, (Note 10)  
%
VOUT Accuracy at TA = +25°C, Post  
VOUT = 5.005V, (Note 10)  
%
Radiation  
TC VOUT  
Output Voltage Temperature  
Coefficient (Note 8)  
10  
ppm/°C  
VIN  
Input Voltage Range  
Supply Current  
7.0  
30  
1.500  
20  
V
IIN  
0.930  
8
mA  
VOUT /VIN  
VOUT/IOUT  
Line Regulation  
Load Regulation  
VIN = 7.0V to 30V  
ppm/V  
ppm/mA  
ppm/mA  
V
Sourcing: 0mA ≤ IOUT ≤ 20mA  
Sinking: -10mA ≤ IOUT ≤ 0mA  
IOUT = 10mA  
10  
20  
21  
40  
VD  
Dropout Voltage  
(Note 9)  
1.5  
1.7  
ISC+  
ISC-  
tR  
Short-Circuit Current  
Short-Circuit Current  
Turn-On Settling Time  
TA = +25°C, VOUT tied to GND  
TA = +25°C, VOUT tied to VIN  
90% of final value, CL = 1.0µF,  
53  
-63  
250  
mA  
mA  
µs  
CC = open  
PSRR  
eN  
Ripple Rejection  
f = 120Hz  
90  
1.1  
2.2  
68  
dB  
Output Voltage Noise  
Broadband Voltage Noise  
Noise Density  
0.1Hz ≤ f ≤10Hz  
10Hz ≤ f ≤1kHz  
f = 1kHz, VIN = 7.1V  
TA = 125°C, 1000hrs  
µVP-P  
µVRMS  
nV/√Hz  
ppm  
VN  
VOUT/t  
Long Term Drift  
15  
FN8588.3  
March 15, 2016  
Submit Document Feedback  
5
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