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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | HVQCCN, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 高边驱动器： | YES | 接口集成电路类型： | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-N8 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 3 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 标称输出峰值电流： | 4 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压： | 5.5 V | 最小供电电压： | 4.5 V |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 3 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ISL6605CRZA-T | RENESAS |
获取价格 |
4A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC8, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MO-220VEEC, QF |
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| ISL6605CRZ-T | RENESAS |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver; QFN8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet |
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| ISL6605IB | INTERSIL |
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Synchronous Rectified MOSFET Driver |
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| ISL6605IB | ROCHESTER |
获取价格 |
4 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
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| ISL6605IB-T | INTERSIL |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver |
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| ISL6605IBZ | INTERSIL |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver |
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| ISL6605IBZ | ROCHESTER |
获取价格 |
4 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 |
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| ISL6605IBZ | RENESAS |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver; QFN8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet |
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| ISL6605IBZA | INTERSIL |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver |
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| ISL6605IBZ-T | RENESAS |
获取价格 |
Synchronous Rectified MOSFET Driver; QFN8, SOIC8; Temp Range: See Datasheet |
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