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ISC031N08NM6

更新时间： 2025-09-18 20:02:35

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描述
OptiMOS™ 6 80 V - the latest power MOSFET technology setting the new industry benchmark performance with a wide portfolio offering.

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ISC031N08NM6 数据手册

ISC031N08NM6

MOSFET

OptiMOS^TMꢀ6ꢀPower-Transistor,ꢀ80ꢀV

TDSON-8ꢀFLꢀ(enlargedꢀsourceꢀinterconnection)

Features

•ꢀN-channel,ꢀnormalꢀlevel

•ꢀVeryꢀlowꢀon-resistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀgateꢀchargeꢀxꢀR_DS(on)ꢀproductꢀ(FOM)

•ꢀVeryꢀlowꢀreverseꢀrecoveryꢀchargeꢀ(Q_rr)

•ꢀPb-freeꢀleadꢀplating;ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀHalogen-freeꢀaccordingꢀtoꢀIEC61249-2-21

•ꢀIdealꢀforꢀhighꢀfrequencyꢀswitchingꢀandꢀsynchronousꢀrectification

•ꢀ175°ꢀCꢀoperatingꢀtemperature

•ꢀHighꢀavalancheꢀenergyꢀrating

Drain

Pin 5-8

Productꢀvalidation

FullyꢀqualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀforꢀIndustrialꢀApplications

Gate

Pin 4

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Source

Pin 1-3

Parameter

Value

Unit

*1: Internal body diode

V_DS

R_DS(on),max

I_D

3.1

145

mΩ

Q_oss

Q_Gꢀ(0V...10V)

Q_rrꢀ(100A/µs)

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

Package

Marking

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ISC031N08NM6

PG-TDSON-8 FL

031N08N6

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.0,ꢀꢀ2023-03-13

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