是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LFBGA-165 | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.16 |
最长访问时间: | 0.45 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 450 MHz | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 18874368 bit |
内存集成电路类型: | QDR SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA165,11X15,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 1.5/1.8,1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.4 mm | 最大待机电流: | 0.34 A |
最小待机电流: | 1.7 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.89 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.71 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 15 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS61QDPB451236-450M3I | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LFBGA-165 | |
IS61QDPB451236-450M3LI | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | |
IS61QDPB451236-500M3 | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LFBGA-165 | |
IS61QDPB451236-500M3LI | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | |
IS61QDPB451236-550M3 | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LFBGA-165 | |
IS61QDPB451236A | ISSI |
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512Kx36 and 1Mx18 configuration available | |
IS61QDPB451236A1 | ISSI |
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512Kx36 and 1Mx18 configuration available | |
IS61QDPB451236A1-550B3 | ISSI |
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QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165 | |
IS61QDPB451236A1-550B3I | ISSI |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, TFBGA-165 | |
IS61QDPB451236A1-550B3L | ISSI |
获取价格 |
QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-165 |