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IS61LPS102436B-200TQLI-TR

更新时间: 2024-01-27 12:35:00
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 1227K
描述
IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

IS61LPS102436B-200TQLI-TR 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:LQFP,
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:10 weeks
风险等级:5.8最长访问时间:3.1 ns
JESD-30 代码:R-PQFP-G100长度:20 mm
内存密度:37748736 bit内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:36功能数量:1
端子数量:100字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:1MX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:14 mm

IS61LPS102436B-200TQLI-TR 数据手册

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IS61(64)LPS102436B/IS61(64)VPS/VVPS102436B  
IS61(64)LPS204818B/IS61(64)VPS/VVPS204818B  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
35  
Rev. C  
11/03/2017  

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