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IS42S16100C1-7BL PDF预览

IS42S16100C1-7BL

更新时间： 2024-02-06 14:41:12
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI /
页数 文件大小 规格书
81页 913K
描述
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM

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IS42S16100C1-7BL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.56访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G50JESD-609代码：e3
长度：20.95 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端口数量：1端子数量：50
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

IS42S16100C1-7BL 数据手册

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®
IS42S16100C1  
512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-MBIT)  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM  
ISSI  
NOVEMBER 2006  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• Clock frequency: 200, 166, 143 MHz  
ISSI’s 16Mb Synchronous DRAM IS42S16100C1 is  
organized as a 524,288-word x 16-bit x 2-bank for  
improvedperformance. ThesynchronousDRAMs  
achieve high-speed data transfer using pipeline  
architecture. All inputs and outputs signals refer to the  
rising edge of the clock input.  
• Fully synchronous; all signals referenced to a  
positive clock edge  
• Two banks can be operated simultaneously and  
independently  
• Dual internal bank controlled by A11  
(bank select)  
PIN CONFIGURATIONS  
50-Pin TSOP (Type II)  
• Single 3.3V power supply  
• LVTTL interface  
VDD  
DQ0  
DQ1  
GNDQ  
DQ2  
DQ3  
VDDQ  
DQ4  
DQ5  
GNDQ  
DQ6  
DQ7  
VDDQ  
LDQM  
WE  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
GND  
DQ15  
IDQ14  
GNDQ  
DQ13  
DQ12  
VDDQ  
DQ11  
DQ10  
GNDQ  
DQ9  
DQ8  
VDDQ  
NC  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
• Programmable burst length  
– (1, 2, 4, 8, full page)  
2
3
4
5
• Programmable burst sequence:  
Sequential/Interleave  
6
7
8
• 4096 refresh cycles every 64 ms  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
• Random column address every clock cycle  
• Programmable CAS latency (2, 3 clocks)  
• Burst read/write and burst read/single write  
operations capability  
CAS  
RAS  
CS  
• Burst termination by burst stop and  
precharge command  
A11  
A10  
A0  
A1  
• Byte controlled by LDQM and UDQM  
• Industrial temperature up to 143 MHz  
• Packages 400-mil 50-pin TSOP-II, 60-ball fBGA  
• Lead-free package option  
A2  
A3  
VDD  
A4  
GND  
PIN DESCRIPTIONS  
CAS  
ColumnAddressStrobeCommand  
WriteEnable  
A0-A11  
A0-A10  
A11  
Address Input  
WE  
Row Address Input  
Bank Select Address  
Column Address Input  
DataDQ  
LDQM  
UDQM  
VDD  
Lower Bye, Input/Output Mask  
Upper Bye, Input/Output Mask  
Power  
A0-A7  
DQ0 to DQ15  
CLK  
GND  
VDDQ  
GNDQ  
NC  
Ground  
System Clock Input  
Clock Enable  
Power Supply for DQ Pin  
Ground for DQ Pin  
NoConnection  
CKE  
CS  
Chip Select  
RAS  
RowAddressStrobeCommand  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. D  
11/03/06  
1234567...81

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
IS42S16100C1-7TL ISSI

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