Datasheet > IS42R16160D-75BLI

IS42R16160D-75BLI

更新时间： 2024-02-02 16:24:30

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
62页	1114K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 13 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, MS-207, BGA-54

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IS42R16160D-75BLI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DSBGA
包装说明：	TFBGA, BGA54,9X9,32	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.73
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B54	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

IS42R16160D-75BLI 数据手册

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IS42R16160D-75BLI的Datasheet PDF文件第7页

IS42R83200D, IS42R16160D

IS45R83200D, IS45R16160D

32Meg x 8, 16Meg x16

256-MBIT SYNCHRONOUS DRAM

MARCH 2010

OVERVIEW

FEATURES

ISSI'sꢀ256MbꢀSynchronousꢀDRAMꢀꢀachievesꢀhigh-speedꢀ

data transfer using pipeline architecture. All inputs and

outputs signals refer to the rising edge of the clock input.

Theꢀ256MbꢀSDRAMꢀisꢀorganizedꢀasꢀfollows.ꢀ

•ꢀ Clockꢀfrequency:ꢀ133,ꢀ100ꢀꢀMHz

•ꢀ Fullyꢀsynchronous;ꢀallꢀsignalsꢀreferencedꢀtoꢀaꢀ

positive clock edge

•ꢀ Internalꢀbankꢀforꢀhidingꢀrowꢀaccess/precharge

•ꢀ SingleꢀPowerꢀsupply:ꢀ2.5Vꢀ+ꢀ0.2Vꢀ

•ꢀ LVTTLꢀinterface

IS42/45R83200Dꢀ IS42/45R16160Dꢀ

8Mꢀxꢀ8ꢀxꢀ4ꢀBanksꢀ 4Mꢀx16x4ꢀBanksꢀ

54-pinꢀTSOPIIꢀ

54-pinꢀTSOPII

54-ballꢀBGAꢀ

•ꢀ Programmableꢀburstꢀlengthꢀ

ꢀ

ꢀ ꢀ

– (1, 2, 4, 8, full page)

•ꢀ Programmableꢀburstꢀsequence:ꢀ

Sequential/Interleaveꢀ

KEY TIMING PARAMETERS

•ꢀ AutoꢀRefreshꢀ(CBR)

•ꢀ SelfꢀRefresh

Parameter

-75

Unit

ClkꢀCycleꢀTimeꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ 8Kꢀrefreshꢀcyclesꢀeveryꢀ16ꢀmsꢀ(A2ꢀgrade)ꢀorꢀ

7.5ꢀ

10ꢀ

nsꢀ

64 ms (commercial, industrial, A1 grade)

ClkꢀFrequencyꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀꢀ

ꢀ

•ꢀ Randomꢀcolumnꢀaddressꢀeveryꢀclockꢀcycle

133ꢀ

100ꢀ

Mhzꢀ

Mhz

•ꢀ ProgrammableꢀCAS latency (2, 3 clocks)

•ꢀ Burstꢀread/writeꢀandꢀburstꢀread/singleꢀwriteꢀ

AccessꢀTimeꢀꢀfromꢀClockꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ3ꢀ

CASꢀLatencyꢀ=ꢀ2ꢀ

ꢀ

5.4ꢀ

6ꢀ

nsꢀ

operations capability

•ꢀ Burstꢀterminationꢀbyꢀburstꢀstopꢀandꢀprechargeꢀ

command

OPTIONS

•ꢀ Package:

ADDRESS TABLE

Parameter

32M x 8

16M x 16

54-pinꢀTSOP-IIꢀ(x8ꢀandꢀx16)

54-ballꢀBGAꢀ(x16ꢀonly)

Conﬁguration

8M x 8 x 4

banks

4M x 16 x 4

banks

•ꢀ OperatingꢀTemperatureꢀRange:

Commercial (0^oC to +70^oC)

Refresh Count

Com./Ind. 8K/64ms

A1 8K/64ms

8K/64ms

8K/16ms

Industrial (-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA1ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+85^oC)

AutomotiveꢀGradeꢀA2ꢀ(-40^oCꢀtoꢀ+105^oC)

A2 8K/16ms

Row Addresses

A0-A12

A0-A8

Column Addresses

Bank Address Pins

Auto Precharge Pins

A0-A9

BA0, BA1

A10/AP

BA0, BA1

A10/AP

out notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain

the latest version of this device speciﬁcation before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. A

03/02/2010

12 3 4 5 6 7...62

下载PDF

与IS42R16160D-75BLI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IS42R16160D-75TLI	ISSI	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54	获取价格
IS42R16160J-75TL	ISSI	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54	获取价格
IS42R16160J-75TLI	ISSI	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54	获取价格
IS42R16320D	ISSI	Internal bank for hiding row access/precharge	获取价格
IS42R16320D-5BL	ISSI	Synchronous DRAM, 32MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207	获取价格
IS42R16320D-6BL	ISSI	Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 13 MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-2	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42R16160D-75BLI

IS42R16160D-75BLI 技术参数

IS42R16160D-75BLI 数据手册

与IS42R16160D-75BLI相关器件

与IS42R16160D-75BLI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IS42R16160D-75BLI

IS42R16160D-75BLI 技术参数

IS42R16160D-75BLI 数据手册

与IS42R16160D-75BLI相关器件

与IS42R16160D-75BLI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？