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IS24C01B-2ZLI-TR

更新时间: 2024-09-25 20:07:47
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美国芯成 - ISSI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 719K
描述
EEPROM, 128X8, Serial, CMOS, PDSO8, 3 X 4.40 MM, LEAD FREE, MO-153, TSSOP-8

IS24C01B-2ZLI-TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSSOP包装说明:3 X 4.40 MM, LEAD FREE, MO-153, TSSOP-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.82最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
数据保留时间-最小值:100耐久性:1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节:1010DDDRJESD-30 代码:R-PDSO-G8
长度:4.4 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:8
字数:128 words字数代码:128
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128X8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:SERIAL
电源:2/5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.000001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.003 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):1.8 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:3 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
写保护:HARDWAREBase Number Matches:1

IS24C01B-2ZLI-TR 数据手册

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IS24C01B IS24C02B  
IS24C01B/02B  
2-WIRE (I2C)  
1K-bit/2K-bit  
SERIAL EEPROM  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com  
1
Rev. F  
09/11/09  

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EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8