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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SOP, SOP28,.4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| Factory Lead Time： | 18 weeks | 风险等级： | 1.26 |
| Samacsys Description： | Infineon IRS23364DSPBF Hex High and Low Side MOSFET Power Driver, 0.35A 28-Pin, SOIC W | 高边驱动器： | YES |
| 输入特性： | STANDARD | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17.9 mm | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 标称输出峰值电流： | 0.35 A | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 11.5 V | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 断开时间： | 0.75 µs |
| 接通时间： | 0.75 µs | 宽度： | 7.5 mm |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRS23364DSTRPBF | INFINEON |
类似代替  |
HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRS23364DSTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS23365DM | INFINEON |
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600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 |
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| IRS23365DMPBF | INFINEON |
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Drives up to six IGBT/MOSFET power devices |
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| IRS23365DMPBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Gate drive supplies up to 20 V per channel |
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| IRS23365DMTRPBF | INFINEON |
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Drives up to six IGBT/MOSFET power devices |
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| IRS2336D | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS2336DJPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS2336DJTRPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS2336DMPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS2336DMTRPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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