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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, MS-013AE, SOIC-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 7.41 |
| 高边驱动器： | YES | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 17.9 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 标称输出峰值电流： | 0.35 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压： | 20 V |
| 最小供电电压： | 11.5 V | 标称供电电压： | 15 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 断开时间： | 0.075 µs | 接通时间： | 0.075 µs |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRS23364DJTRPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS23364DPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS23364DS | INFINEON |
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600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 |
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| IRS23364DSPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS23364DSTRPBF | INFINEON |
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HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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| IRS23365DM | INFINEON |
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600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 |
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| IRS23365DMPBF | INFINEON |
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Drives up to six IGBT/MOSFET power devices |
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| IRS23365DMPBF_15 | INFINEON |
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Gate drive supplies up to 20 V per channel |
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| IRS23365DMTRPBF | INFINEON |
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Drives up to six IGBT/MOSFET power devices |
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| IRS2336D | INFINEON |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE 3 PHASE GATE DRIVER IC |
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