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IRS2181SPBF

更新时间： 2024-01-29 18:33:26
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
23页 1071K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRS2181SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：2.77
内置保护：TRANSIENT; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
输出电流流向：SOURCE AND SINK封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.33 µs接通时间：0.27 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

IRS2181SPBF 数据手册

 浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRS2181SPBF的Datasheet PDF文件第7页 
IRS2181/IRS21814(S)PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Absolute maximum ratings indicate sustained limits beyond which damage to the device may occur. All voltage param-  
eters are absolute voltages referenced to COM. The thermal resistance and power dissipation ratings are measured  
under board mounted and still air conditions.  
Symbol  
Definition  
High-side floating absolute voltage  
High-side floating supply offset voltage  
High-side floating output voltage  
Low-side and logic fixed supply voltage  
Low-side output voltage  
Min.  
Max.  
Units  
V
-0.3  
620 (Note 1)  
B
S
V
V
B
- 20  
V
+ 0.3  
+ 0.3  
B
V
HO  
V
S
- 0.3  
V
B
V
CC  
-0.3  
-0.3  
20 (Note 1)  
V
V
LO  
V
V
+ 0.3  
+ 0.3  
+ 0.3  
CC  
CC  
V
IN  
Logic input voltage (HIN & LIN)  
Logic ground (IRS21814 only)  
V
- 0.3  
SS  
V
SS  
V
- 20  
V
CC  
CC  
dV /dt  
Allowable offset supply voltage transient  
—
50  
V/ns  
W
S
(8-lead PDIP)  
—
1.0  
(8-lead SOIC)  
(14-lead PDIP)  
(14-lead SOIC)  
(8-lead PDIP)  
(8-lead SOIC)  
(14-lead PDIP)  
(14-lead SOIC)  
—
—
—
—
—
—
—
—
0.625  
1.6  
P
D
Package power dissipation @ T £ +25 °C  
A
1.0  
125  
200  
75  
°C/W  
°C  
Rth  
JA  
Thermal resistance, junction to ambient  
120  
150  
150  
300  
T
J
Junction temperature  
T
T
Storage temperature  
-50  
—
S
Lead temperature (soldering, 10 seconds)  
L
Note 1: All supplies are fully tested at 25 V and an internal 20 V clamp exists for each supply.  
Recommended Operating Conditions  
The input/output logic timing diagram is shown in Fig. 1. For proper operation the device should be used within the  
recommended conditions. The V and V  
S
offset rating are tested with all supplies biased at a 15 V differential.  
SS  
Symbol  
Definition  
Min.  
Max.  
Units  
VB  
High-side floating supply absolute voltage  
High-side floating supply offset voltage  
High-side floating output voltage  
Low-side and logic fixed supply voltage  
Low-side output voltage  
V
+ 10  
V + 20  
S
S
V
S
Note 2  
600  
V
HO  
V
S
V
B
V
CC  
10  
0
20  
V
V
LO  
V
CC  
V
Logic input voltage (HIN & LIN)  
Logic ground (IRS21814 only)  
Ambient temperature  
V
V
IN  
SS  
CC  
V
SS  
-5  
5
T
A
-40  
125  
°C  
Note 2: Logic operational for V of -5 V to +600 V. Logic state held for V of -5 V to -V . (Please refer to the Design Tip  
BS  
S
S
DT97-3 for more details).  
www.irf.com  
2
1234567...23

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