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Datasheet > 驱动程序和接口 > MOSFET 驱动器> IRS21814PBF
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IRS21814PBF

更新时间： 2024-01-21 01:18:57
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 1071K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

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IRS21814PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14针数：14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.03
Is Samacsys：N内置保护：TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e3长度：8.65 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：14最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C输出电流流向：SOURCE AND SINK
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.75 mm最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.33 µs接通时间：0.27 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

IRS21814PBF 数据手册

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IRS2181/IRS21814(S)PbF  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15 V, V = COM, C = 1000 pF, T = 25 °C.  
BIAS CC BS  
L
A
SS  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
Turn-on propagation delay  
Turn-off propagation delay  
Delay matching, HS & LS turn-on/off  
Turn-on rise time  
—
—
—
—
—
180  
220  
0
270  
330  
35  
V = 0 V  
S
on  
t
V = 0 V or 600 V  
S
off  
MT  
ns  
t
40  
20  
60  
r
V
S
= 0 V  
t
f
Turn-off fall time  
35  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15 V, V = COM and T = 25 °C unless otherwise specified. The V , V and I parameters are  
BIAS CC BS  
SS  
A
IL IH,  
IN  
referenced to V /COM and are applicable to the respective input leads HIN and LIN. The V , I and R parameters  
SS  
O O,  
on  
are referenced to COM and are applicable to the respective output leads: HO and LO.  
Symbol  
Definition  
Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
2.5  
V
Logic “1” input voltage  
—
—
—
IH  
VCC = 10 V to 20 V  
0.8  
1.4  
0.2  
50  
V
Logic “0” input voltage  
—
—
—
—
20  
50  
IL  
V
µA  
V
V
OH  
High level output voltage, V  
- V  
O
—
I
= 0 A  
BIAS  
O
V
OL  
Low level output voltage, V  
—
I = 20 mA  
O
O
I
LK  
Offset supply leakage current  
—
V
= V = 600 V  
B S  
I
Quiescent V supply current  
BS  
60  
120  
150  
240  
QBS  
V
= 0 V or 5 V  
IN  
I
Quiescent V  
supply current  
CC  
QCC  
I
Logic “1” input bias current  
Logic “0” input bias current  
VIN = 5 V  
VIN = 0 V  
—
—
25  
—
60  
IN+  
I
5.0  
IN-  
V
V
and V supply undervoltage positive going  
CC BS  
CCUV+  
8.0  
7.4  
0.3  
8.9  
8.2  
0.7  
9.8  
9.0  
—
V
threshold  
V and V supply undervoltage negative going  
CC  
BSUV+  
V
CCUV-  
BS  
V
threshold  
BSUV-  
V
CCUVH  
Hysteresis  
V
BSUVH  
V
O
= 0 V,  
IO+  
IO-  
Output high short circuit pulsed current  
Output low short circuit pulsed current  
1.4  
1.8  
1.9  
2.3  
—
—
PW ≤ 10 µs  
= 15 V,  
O
A
V
PW ≤ 10 µs  
www.irf.com  
3
1234567...23

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