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IRLI3303

更新时间： 2024-09-28 21:53:23

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HEXFET Power MOSFET

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IRLI3303 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	25 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	31 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

IRLI3303 数据手册

PD - _____

IRLI3303

PRELIMINARY

HEXFET^®Power MOSFET

Logic-Level Gate Drive

Advanced Process Technology

Isolated Package

High Voltage Isolation = 2.5KVRMS

Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm

Fully Avalanche Rated

V_DSS= 30V

R_DS(on)= 0.026Ω

I_D= 25A

Description

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve the

lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit,

combined with the fast switching speed and ruggedized

device design that HEXFET Power MOSFETs are well

known for, provides the designer with an extremely efficient

device for use in a wide variety of applications.

The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional

insulating hardware in commercial-industrial applications.

The moulding compound used provides a high isolation

capability and a low thermal resistance between the tab

and external heatsink. This isolation is equivalent to using

a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product.

The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or

by a single screw fixing.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

140

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.21

±20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

130

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Current

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.6

V/ns

2.6

-55 to + 175

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

°C

300 (1.6mm from case)

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient

Min.

––––

Typ.

––––

Max.

4.8

Units

R_θJC

R_θJA

°C/W

8/24/95

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLI3303相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLI3303PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI3615	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLI3615PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLI3705	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLI3705G	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI3705G-004	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI3705G-004PBF	VISHAY	获取价格	45A, 50V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
IRLI3705G-005PBF	VISHAY	获取价格	45A, 50V, 0.012ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
IRLI3705G-006	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLI3705G-009	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 50V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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