Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRL3302STRRPBF

IRL3302STRRPBF

更新时间： 2024-10-01 13:08:55

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英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
8页	92K
描述
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRL3302STRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.62
雪崩能效等级（Eas）：	130 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	39 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRL3302STRRPBF 数据手册

PD - 9.1692A

IRL3302S

PRELIMINARY

HEXFET^®Power MOSFET

l Advanced Process Technology

l Surface Mount

l Optimized for 4.5V-7.0V Gate Drive

l Ideal for CPU Core DC-DC Converters

l Fast Switching

V_DSS= 20V

R_DS(on)= 0.020W

I_D= 39A

Description

These HEXFET Power MOSFETs were designed

specifically to meet the demands of CPU core DC-DC

converters. Advanced processing techniques

combined with an optimized gate oxide design results

in a die sized specifically to offer maximum efficiency

at minimum cost.

The D²Pak is a surface mount power package capable

of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible on-

resistance in any existing surface mount package. The

D²Pak is suitable for high current applications because

of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0W in a typical surface mount

application.

D ²Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

160

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

W/°C

Linear Derating Factor

0.45

± 10

130

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energyꢀ

Avalanche Current

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

5.7

5.0

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**

Typ.

–––

Max.

2.2

Units

R_qJC

R_qJA

°C/W

9/17/97

12 3 4 5 6 7 8

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IRL3303SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRL3303STRL	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRL3303STRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 30V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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