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IRKTF132-08EMN

更新时间: 2024-02-10 08:23:35
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描述
Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 Element

IRKTF132-08EMN 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:FAST
外壳连接:ISOLATED标称电路换相断开时间:12 µs
配置:SERIES CONNECTED, 2 ELEMENTS关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us
JESD-30 代码:R-PUFM-X7元件数量:2
端子数量:7最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:204.1 A断态重复峰值电压:800 V
重复峰值反向电压:800 V表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
触发设备类型:SCR

IRKTF132-08EMN 数据手册

  

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IRKTF132-08EP INFINEON Silicon Controlled Rectifier, 204.1A I(T)RMS, 130000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 2 E

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