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IRKNF180-10HP

更新时间： 2024-02-06 16:38:26

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	55K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

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IRKNF180-10HP 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PXFM-X5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST	外壳连接：	ISOLATED
标称电路换相断开时间：	18 µs	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN FREE-WHEELING DIODE
关态电压最小值的临界上升速率：	400 V/us	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	2K-CA	最大维持电流：	600 mA
JESD-30 代码：	R-PXFM-X5	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	30 mA	通态非重复峰值电流：	7400 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	180000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	282.6 A	重复峰值关态漏电流最大值：	30000 µA
断态重复峰值电压：	1000 V	重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRKNF180-10HPN	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
IRKNF180-10HPNPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
IRKNF180-10HPPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element	获取价格
IRKNF180-12CJ	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 180000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1	获取价格
IRKNF180-12CJN	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element	获取价格
IRKNF180-12CJPBF	INFINEON	Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element	获取价格