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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRKLF180-10EKS10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM) |
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| IRKLF180-10EKS20 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM) |
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| IRKLF180-10EP | ETC |
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THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1KV V(RRM)|180A I(T) |
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| IRKLF180-10EPN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKLF180-10EPNPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKLF180-10EPPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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| IRKLF180-10EPS10 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM) |
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| IRKLF180-10EPS20 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM) |
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| IRKLF180-10FJ | ETC |
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THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|NEGATIVE|1KV V(RRM)|180A I(T) |
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| IRKLF180-10FJN | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 282.6A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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