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IRKD195-10-NPBF

更新时间: 2024-02-08 19:33:30
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英飞凌 - INFINEON 局域网高电压电源高压二极管
页数 文件大小 规格书
10页 396K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 195A, 1000V V(RRM), Silicon, POWER, INT-A-PAK-3

IRKD195-10-NPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XUFM-X3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用:HIGH VOLTAGE POWER外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.32 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流:4980 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:195 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:50000 µA表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:40Base Number Matches:1

IRKD195-10-NPBF 数据手册

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