是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.25 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 7.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.58 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-257AB |
JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | CECC |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 150 ns | 最大开启时间(吨): | 120 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFY9240ECPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRFY9240ED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRFY9240EPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRFY9240M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.7A I(D) | TO-220 | |
IRFY9240ME | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRFY9240MEA | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFY9240MEAPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 200V, 0.58ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRFY9240MEB | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFY9240MEBPBF | INFINEON |
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暂无描述 | |
IRFY9240MEC | INFINEON |
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暂无描述 |