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IR2132SPBF

更新时间: 2024-02-11 07:49:28
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管PC
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26页 299K
描述
3-PHASE BRIDGE DRIVER

IR2132SPBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:MS-013AE, SOIC-28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:0.94
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e3
长度:17.9 mm湿度敏感等级:3
功能数量:3端子数量:28
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:0.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES技术:BICMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.55 µs接通时间:0.85 µs
宽度:7.5 mmBase Number Matches:1

IR2132SPBF 数据手册

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IR2130/IR2132(J)(S)&(PbF)  
6.00  
5.70  
6.00  
5.70  
5.40  
5.10  
4.80  
4.50  
Max.  
Typ.  
Min.  
5.40  
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Min.  
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0
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Temperature (°C)  
V
CC Supply Voltage (V)  
Figure 44A. Amplifier High Level Output vs.  
Temperature  
Figure 44B. Amplifier High Level Output vs. Voltage  
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80  
60  
40  
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0
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60  
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Max.  
Max.  
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-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Temperature (°C)  
VCC Supply Voltage (V)  
Figure 45A. Amplifier Low Level Output vs.  
Temperature  
Figure 45B. Amplifier Low Level Output vs. Voltage  
10.0  
10.0  
8.0  
6.0  
4.0  
8.0  
6.0  
4.0  
2.0  
0.0  
Typ.  
Min.  
Typ.  
2.0  
Min.  
0.0  
-50  
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0
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50  
75  
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125  
10  
12  
14  
16  
18  
20  
Temperature (°C)  
V
CC Supply Voltage (V)  
Figure 46A. Amplifier Output Source Current vs.  
Temperature  
Figure 46B. Amplifier Output Source Current vs.  
Voltage  
20  
www.irf.com  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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