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IR2125SPBF

更新时间： 2024-02-29 10:46:07

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英飞凌 - INFINEON		驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER

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IR2125SPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.83
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDIP-T8	长度：	10.31 mm
功能数量：	1	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class S	座面最大高度：	4.44 mm
最大供电电压：	18 V	最小供电电压：	12 V
标称供电电压：	15 V	电源电压1-最大：	418 V
电源电压1-分钟：	7 V	电源电压1-Nom：	15 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
断开时间：	330 µs	接通时间：	270 µs
宽度：	7.62 mm

IR2125SPBF 数据手册

( ) & (PbF)

IR2125

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Max.

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Temperature (°C)

V_BIASSupply Voltage (V)

Figure 7A. Turn-On Time vs. Temperature

Figure 7B. Turn-On Time vs. Voltage

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100

400

300

200

100

Max.

Typ.

Max.

Typ.

-50

-25

100

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Temperature (°C)

V_BIASSupply Voltage (V)

Figure 8A. Turn-Off Time vs. Temperature

Figure 8B. Turn-Off Time vs. Voltage

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2.00

1.00

0.00

4.00

3.00

2.00

1.00

0.00

Max.

Typ.

Max.

Typ.

-50

-25

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Temperature (°C)

V_BIASSupply Voltage (V)

Figure 9A. ERR to Output Shutdown vs. Temperature

Figure 9B. ERR to Output Shutdown vs. Voltage

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