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IR2125SPBF

更新时间： 2024-01-10 01:11:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
17页 216K
描述
CURRENT LIMITING SINGLE CHANNEL DRIVER

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IR2125SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP,针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.83
高边驱动器：YES接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T8长度：10.31 mm
功能数量：1端子数量：8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883 Class S座面最大高度：4.44 mm
最大供电电压：18 V最小供电电压：12 V
标称供电电压：15 V电源电压1-最大：418 V
电源电压1-分钟：7 V电源电压1-Nom：15 V
表面贴装：NO技术：CMOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
断开时间：330 µs接通时间：270 µs
宽度：7.62 mm

IR2125SPBF 数据手册

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( ) & (PbF)  
S
IR2125  
Dynamic Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15V, C = 3300 pF and T = 25°C unless otherwise specified. The dynamic electrical characteristics  
BIAS CC BS  
L
A
are measured using the test circuit shown in Figures 3 through 6.  
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
t
Turn-On Propagation Delay  
7
—
170  
240  
V
= 0 & 5V  
IN  
on  
V
S
= 0 to 600V  
ns  
t
Turn-Off Propagation Delay  
ERR Shutdown Propagation Delay  
Turn-On Rise Time  
8
—
—
—
—
—
—
200  
1.7  
43  
270  
2.2  
60  
off  
t
9
µs  
sd  
t
10  
11  
12  
13  
r
ns  
t
Turn-Off Fall Time  
26  
35  
f
t
CS Shutdown Propagation Delay  
CS to ERR Pull-Up Propagation Delay  
0.7  
9.0  
1.2  
12  
cs  
µs  
t
C
= 270 pF  
ERR  
err  
Static Electrical Characteristics  
V
(V , V ) = 15V and T = 25°C unless otherwise specified. The V , V and I parameters are referenced to  
BIAS CC BS  
A
IN TH  
IN  
COM. The V and I parameters are referenced to V .  
O
O
S
Symbol  
Definition  
Figure Min. Typ. Max. Units Test Conditions  
V
Logic “1” Input Voltage  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
2.2  
—
—
—
—
0.8  
IH  
V
V
Logic “0” Input Voltage  
IL  
V
CS Input Positive Going Threshold  
CS Input Negative Going Threshold  
150  
130  
—
230  
210  
—
320  
300  
100  
100  
50  
CSTH+  
V
CSTH-  
mV  
V
High Level Output Voltage, V  
- V  
I
O
= 0A  
OH  
BIAS  
O
V
Low Level Output Voltage, V  
—
—
I
O
= 0A  
OL  
O
I
Offset Supply Leakage Current  
—
—
V = V = 500V  
B S  
LK  
I
Quiescent V Supply Current  
BS  
—
400  
700  
4.5  
—
1000  
1200  
10  
V
= V = 0V or 5V  
CS  
QBS  
IN  
IN  
I
Quiescent V Supply Current  
CC  
—
V
= V = 0V or 5V  
CS  
QCC  
I
Logic “1” Input Bias Current  
Logic “0” Input Bias Current  
“High” CS Bias Current  
“Low” CS Bias Current  
—
µA  
V
V
V
= 5V  
= 0V  
= 3V  
= 0V  
IN+  
IN  
IN  
I
—
1.0  
IN-  
I
—
4.5  
—
10  
CS+  
CS  
I
—
1.0  
V
CS-  
CS  
V
V
Supply Undervoltage Positive Going  
BS  
8.5  
9.2  
10.0  
BSUV+  
Threshold  
Supply Undervoltage Negative Going  
BS  
V
V
28  
29  
30  
31  
32  
7.7  
8.3  
7.3  
65  
8.3  
8.9  
8.0  
100  
15  
9.0  
9.6  
8.7  
130  
—
BSUV-  
Threshold  
V Supply Undervoltage Positive Going  
CC  
V
V
CCUV+  
Threshold  
V Supply Undervoltage Negative Going  
CC  
V
CCUV-  
Threshold  
I
ERR Timing Charge Current  
V = 5V, V = 3V  
IN CS  
ERR  
µA  
ERR < V  
ERR+  
I
ERR Pull-Up Current  
8.0  
V = 5V, V = 3V  
IN CS  
ERR+  
mA  
ERR > V  
ERR+  
I
ERR Pull-Down Current  
33  
34  
16  
30  
—
—
V
= 0V  
IN  
ERR-  
I
Output High Short Circuit Pulsed Current  
1.0  
1.6  
V
= 0V, V = 5V  
IN  
O+  
O
PW ≤ 10 µs  
A
I
Output Low Short Circuit Pulsed Current  
35  
2.0  
3.3  
—
V
= 15V, V = 0V  
IN  
O-  
O
PW ≤ 10 µs  
www.irf.com  
3
1234567...17

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