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IR2106STRPBF

更新时间: 2024-02-21 01:50:26
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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23页 246K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

IR2106STRPBF 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:MS-012AA, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:3.14
Is Samacsys:N其他特性:FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
高边驱动器:YES接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:4.9 mm湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:0.35 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:15 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:10 V标称供电电压:15 V
电源电压1-最大:620 V电源电压1-分钟:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
断开时间:0.28 µs接通时间:0.3 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

IR2106STRPBF 数据手册

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VBIAS Supply Voltage (V)  
Figure 5A. Turn-off Propagation Delay  
vs. Temperature  
Figure 5B. Turn-off Propagation Delay  
vs. Supply Voltage  
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