5秒后页面跳转
IR2102S PDF预览

IR2102S

更新时间: 2024-01-25 06:07:24
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 211K
描述
HIGH AND LOW SIDE DRIVER

IR2102S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP, SOP8,.25Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:1高边驱动器:YES
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
湿度敏感等级:2功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C标称输出峰值电流:0.36 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:20 V最小供电电压:10 V
标称供电电压:15 V电源电压1-最大:620 V
电源电压1-分钟:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30断开时间:0.22 µs
接通时间:0.22 µs宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

IR2102S 数据手册

 浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IR2102S的Datasheet PDF文件第7页 
IR2101/IR21014/IR2102/IR21024  
Functional Block Diagram  
VB  
Q
HV  
LEVEL  
SHIFT  
R
S
HO  
PULSE  
FILTER  
HIN  
PULSE  
GEN  
VS  
UV  
DETECT  
VCC  
LIN  
LO  
COM  
IR2101/IR21014  
VB  
Q
HV  
LEVEL  
R
PULSE  
FILTER  
HO  
15V  
SHIFT  
S
HIN  
LIN  
PULSE  
GEN  
VS  
UV  
DETECT  
VCC  
15V  
LO  
COM  
IR2102/IR21024  
4

与IR2102S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IR2102SPBF INFINEON Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8

获取价格

IR2102STR INFINEON Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

获取价格

IR2102STRPBF INFINEON HIGH AND LOW SIDE DRIVER

获取价格

IR2103 INFINEON HALF-BRIDGE DRIVER

获取价格

IR2103_13 INFINEON Half-Bridge Driver

获取价格

IR21034 INFINEON Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDIP14, PLASTIC, DIP-14

获取价格