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IR2102SPBF

更新时间： 2024-01-12 08:57:58
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 驱动光电二极管接口集成电路驱动器
页数 文件大小 规格书
13页 126K
描述
Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8

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IR2102SPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：3.77
高边驱动器：YES接口集成电路类型：HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
长度：4.9 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出峰值电流：0.36 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP8,.25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：15 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：20 V
最小供电电压：10 V标称供电电压：15 V
电源电压1-最大：620 V电源电压1-分钟：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
断开时间：0.22 µs接通时间：0.22 µs
宽度：3.9 mmBase Number Matches：1

IR2102SPBF 数据手册

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Data Sheet No. PD60043-N  
( )  
( )  
S
S
IR2101  
IR2102  
HIGH AND LOW SIDE DRIVER  
Features  
Product Summary  
• Floating channel designed for bootstrap operation  
V
600V max.  
130 mA / 270 mA  
10 - 20V  
OFFSET  
Fully operational to +600V  
Tolerant to negative transient voltage  
dV/dt immune  
• Gate drive supply range from 10 to 20V  
• Undervoltage lockout  
I +/-  
O
V
OUT  
• 3.3V, 5V, and 15V logic input compatible  
• Matched propagation delay for both channels  
• Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of  
phase with inputs (IR2102)  
t
(typ.)  
160 & 150 ns  
50 ns  
on/off  
Delay Matching  
Packages  
Description  
The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high  
speed power MOSFET and IGBT drivers with inde-  
pendent high and low side referenced output chan-  
nels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS  
technologies enable ruggedized monolithic con-  
struction. The logic input is compatible with stan-  
dard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The  
output drivers feature a high pulse current buffer  
8 Lead SOIC  
8 Lead PDIP  
stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel  
power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.  
Typical Connection  
up to 600V  
VCC  
VCC  
VB  
HO  
VS  
HIN  
LIN  
HIN  
LIN  
TO  
LOAD  
COM  
LO  
IR2101  
up to 600V  
VCC  
VCC  
VB  
HO  
VS  
HIN  
LIN  
HIN  
LIN  
TO  
LOAD  
(Refer to Lead Assignments for correct pin  
configuration). This/These diagram(s) show  
electrical connections only. Please refer to  
our Application Notes and DesignTips for  
proper circuit board layout.  
COM  
LO  
IR2102  
www.irf.com  
1
1234567...13

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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