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IR2101STRPBF

更新时间: 2024-02-21 20:53:09
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英飞凌 - INFINEON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 133K
描述
Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.36A, CMOS, PDSO8, MS-012AA, SOIC-8

IR2101STRPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:MS-012AA, SOIC-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.22
高边驱动器:YES输入特性:SCHMITT TRIGGER
接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3长度:4.9 mm
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C输出特性:TOTEM-POLE
标称输出峰值电流:0.36 A输出极性:TRUE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:15 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm子类别:MOSFET Drivers
最大供电电压:20 V最小供电电压:10 V
标称供电电压:15 V电源电压1-最大:620 V
电源电压1-分钟:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30断开时间:0.22 µs
接通时间:0.22 µs宽度:3.9 mm
Base Number Matches:1

IR2101STRPBF 数据手册

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( )  
S
IR2101/IR2102  
01-3003 01  
8 Lead PDIP  
01-0021 08  
8 Lead SOIC  
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105  
Data and specifications subject to change without notice. 2/15/2001  
www.irf.com  
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