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IR2010STRPBF

更新时间： 2024-01-08 18:05:38

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Floating channel designed for bootstrap operation

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IR2010STRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP,	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	7.26
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
长度：	10.3 mm	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称输出峰值电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压：	20 V	最小供电电压：	10 V
标称供电电压：	15 V	表面贴装：	YES
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
断开时间：	0.105 µs	接通时间：	0.135 µs
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

IR2010STRPBF 数据手册

IR2010(S)(TR) &(PbF)

150.00

125.00

100.00

75.00

50.00

25.00

0.00

150.00

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200V

100V

200V

100V

10V

1.E+03

1.E+04

1.E+05

1.E+06

1.E+03

1.E+04

Frequency (Hz)

1.E+05

1.E+06

Frequency (Hz)

Figure 34. IR2010S Tj vs Frequency

R_GATE= 22 Ohm, Vcc = 15V with IRFBC30

Figure 33. IR2010S Tj vs Frequency

R_GATE= 16 Ohm, Vcc = 15V with IRFBC40

150.00

125.00

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200V

100V

10V

1.E+03

1.E+04

Frequency (Hz)

1.E+05

1.E+06

Figure 35. IR2010S Tj vs Frequency

_GATE= 33 Ohm, Vcc = 15V with IRFBC20

www.irf.com

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