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IR1210

更新时间: 2024-02-15 02:51:57
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
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5页 66K
描述
DUAL LOW SIDE DRIVER

IR1210 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOIC-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.89Is Samacsys:N
高边驱动器:NO接口集成电路类型:HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e0
长度:4.9 mm湿度敏感等级:2
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:3.3 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:6/20 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.75 mm
子类别:MOSFET Drivers最大供电电压:20 V
最小供电电压:6 V标称供电电压:15 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:0.15 µs接通时间:0.16 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

IR1210 数据手册

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ADVANCED INFORMATION  
IR1210  
5 0 %  
INA  
5 0 %  
INA  
INB  
INB  
t d2  
t f  
t d1  
t r  
O U T A  
O U T B  
9 0 %  
O U T A  
O U T B  
9 0 %  
1 0 %  
1 0 %  
Figure 1. Timing Diagram  
Figure 2. Switching Time Waveforms  
V
S
= 15V  
6
4.7UF  
0.1UF  
7
2
4
INA  
OUTA  
C
C
L
=
=
1000PF  
5
INB  
OUTB  
L
1000PF  
3
Figure 3. Switching Time Test Circuit  
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245 Tel: (310) 252-7105  
Data and specifications subject to change without notice. 12/20/2000  
www.irf.com  
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