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IR135DM16C

更新时间： 2024-01-06 13:27:11

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4页	85K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, DIE-1

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IR135DM16C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIE
包装说明：	S-XUUC-N1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.58	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.15 V
JESD-30 代码：	S-XUUC-N1	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IR135DM16C 数据手册

Bulletin I0115J 09/00

IR135DM16CCB

STANDARD RECOVERY DIODES

Junction Size:

Wafer Size:

Rectangular 135 x 100 mils

V_RRMClass:

1600 V

PassivationProcess:

Glassivated MOAT

Reference IR Packaged Part: 8EWS..S Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

Units

TestConditions

V_FM

MaximumForwardVoltage

1.15V

T_J=25°C, I_F=8A

V_RRMReverseBreakdownVoltage

(*) Nitrogen flow on die edge.

1600V (**)

T_J= 25°C, I_RRM= 100 µA

(*)

(**) WaferanddieProbetestclampedat1200Vtolimitarcing.1600V BVtestable only in encapsulated packages

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

NominalFrontMetalComposition,Thickness

ChipDimensions

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100%Al,(5µm)

135 x 100 mils (see drawing)

100 mm, with std. < 110 > flat

330µm,±10µm

Wafer Diameter

WaferThickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

45µm

0.25mmdiameterminimum

Seedrawing

InkDotLocation

RecommendedStorageEnvironment

Storageinoriginalcontainer, indessicated

nitrogen,withnocontamination

Document Number: 93822

www.vishay.com

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