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IR1176

更新时间: 2024-02-09 08:55:59
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英飞凌 - INFINEON 驱动器MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 419K
描述
SYNCHRONOUS RECTIFIER DRIVER

IR1176 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP,
针数:20Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.89Is Samacsys:N
高边驱动器:YES接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
长度:12.8 mm湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:20
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
标称输出峰值电流:4 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.65 mm
最大供电电压:5.25 V最小供电电压:4 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.5 mm
Base Number Matches:1

IR1176 数据手册

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IR1176  
Dynamic Electrical Characteristics  
Vdd=5V, T = 25oC, Rbias = 34.0K unless otherwise specified.  
A
Symbol  
Vdd  
Definition  
Min.  
4.0  
Typ.  
Max.  
Units  
VDC  
A
Supply voltage operating range  
Vdd quiescent current (x1 = x2 = 0V or 5V, Iout = 0)  
Operating frequency  
5.25  
Iqdd  
4
5
Freq  
100  
1.10  
0.8  
2000  
1.4  
1.1  
KHz  
V
UVSET+  
UVSET-  
Vxth+  
Vxth-  
Tadv  
UVSET positive going threshold  
UVSET negative going threshold  
X1/X2 Input positive going threshold  
X1/X2 Input negative going threshold  
Externally adjustable lead time (advance)  
Externally adjustable dead-time for Q1 and Q2  
Q1,Q2 output sink current (Vdd=5.0V,  
pulsed, 10 usec)  
V
1.4  
1.0  
VDC  
VDC  
nsec  
nsec  
500  
Td  
20  
Isink  
4
(peak)  
Isource  
(peak)  
VOH  
A
Q1,Q2 output source current (Vdd=5.0V,  
pulsed, 10 usec)  
4
Q1, Q2 High level voltage (Iout = 20mA)  
Q1, Q2 Low level voltage (Iout = 20mA)  
Input to output delay (PLL bypassed, cross coupled  
mode)  
V
-
0.20  
dd  
V
VOL  
0.10  
20  
tio  
nsec  
tr  
tf  
Gate turn-on rise time (C1=1000pf, Vdd=5V)  
Gate turn-off fall time (C1=1000pf, Vdd=5V)  
Cross-over voltage (Vdd=5Vdc, DTIN shorted to  
DTOUT, C1=1000pf) Fig. 3  
20  
20  
nsec  
nsec  
VDC  
Vtr  
2.5  
Rbias  
Vbias  
Required bias resistor (1%)  
34.0  
1.25  
KΩ  
VDC  
Voltage at Rbias pin  
Tjitter  
Phase-lock loop output jitter  
-20  
20  
nsec  
µADC  
VDC  
Ichgpump  
Charge pump output current (at VFLTR pin)  
50  
Vchgpump Charge pump output voltage (at VFLTR pin)  
1.3  
1.5  
62  
1.7  
Kvco_dc  
PLL Vco DC gain (per design)  
KHz/  
Volt  
www.irf.com  
3

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