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IPS135N03LGHF

更新时间： 2024-01-10 15:14:57

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英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	1378K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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IPS135N03LGHF 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	210 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPS135N03LGHF 数据手册

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