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IPI90R800C3XKSA1

更新时间： 2024-01-04 16:18:08

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	250K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN

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IPI90R800C3XKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.58
雪崩能效等级（Eas）：	157 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	6.9 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	15 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPI90R800C3XKSA1 数据手册

IPI90R800C3

Maximum ratings, at T _J=25 °C, unless otherwise specified

Value

4.1

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _S

Continuous diode forward current

Diode pulse current²⁾

Reverse diode dv /dt ⁴⁾

T _C=25 °C

I _S,pulse

dv /dt

V/ns

Values

typ.

Parameter

Symbol Conditions

Unit

min.

max.

Thermal characteristics

R _thJC

Thermal resistance, junction - case

1.2

K/W

Thermal resistance, junction -

ambient

R _thJA

leaded

Soldering temperature,

wavesoldering only allowed at leads

1.6 mm (0.063 in.)

from case for 10 s

T _sold

260 °C

Electrical characteristics, at T _J=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V _(BR)DSS

V _GS(th)

_GS=0 V, I _D=250 µA

_DS=V _GS, I _D=0.46 mA

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

900

2.5

3.5

_DS=900 V, V _GS=0 V,

I _DSS

Zero gate voltage drain current

µA

T _j=25 °C

_DS=900 V, V _GS=0 V,

T _j=150 °C

I _GSS

_GS=20 V, V _DS=0 V

_GS=10 V, I _D=4.1 A,

Gate-source leakage current

100 nA

R _DS(on)

Drain-source on-state resistance

0.62

0.8

Ω

T _j=25 °C

_GS=10 V, I _D=4.1 A,

1.7

1.3

T _j=150 °C

R _G

Gate resistance

f =1 MHz, open drain

Ω

Rev. 1.0

page 2

2008-07-30

123 4 5 6 7...10

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表

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