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BTS6163D

更新时间： 2024-02-08 10:26:38
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关
页数 文件大小 规格书
16页 259K
描述
Smart Highside Power Switch

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BTS6163D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TO-252, SMSIP5H,.37,50TBReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.19内置保护：TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
驱动器位数：1接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSSO-G4JESD-609代码：e3
长度：6.5 mm功能数量：1
端子数量：4输出电流流向：SINK
标称输出峰值电流：6.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TO-252封装等效代码：SMSIP5H,.37,50TB
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5.5/24 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：AEC-Q100
座面最大高度：2.5 mm子类别：Peripheral Drivers
最大供电电压：62 V最小供电电压：5.5 V
标称供电电压：24 V表面贴装：YES
技术：MOS端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.14 mm
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
断开时间：550 µs接通时间：300 µs
宽度：6.22 mmBase Number Matches：1

BTS6163D 数据手册

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PROFET Data sheet BTS 6163 D  
Smart Highside Power Switch  
Reversave  
Reverse battery protection by self turn on of  
power MOSFET  
Product Summary  
Operating voltage  
On-state resistance  
Nominal current  
•
V
5.5...62  
V
bb(on)  
R
20  
5.5  
17  
mΩ  
A
A
ON  
Features  
•
I
I
I
L(nom)  
L(ISO)  
L12(SC)  
Short circuit protection with latch  
•
•
•
•
•
•
Current limitation  
Overload protection  
Thermal shutdown with restart  
Overvoltage protection (including load dump)  
Loss of ground protection  
Load current (ISO)  
Current limitation  
70  
A
Package  
TO-252-5-1  
(DPAK 5 pin; less than half the size as TO 220 SMD)  
Loss of V protection (with external diode for  
bb  
charged inductive loads)  
Very low standby current  
Fast demagnetization of inductive loads  
Electrostatic discharge (ESD) protection  
Optimized static electromagnetic compatibility (EMC)  
•
•
•
•
Diagnostic Function  
•
Proportional load current sense (with defined fault signal in case of overload operation, overtemperature  
shutdown and/or short circuit shutdown)  
Application  
•
•
•
Power switch with current sense diagnostic feedback for 42V and 24 V DC grounded loads  
All types of resistive, inductive and capacitive loads  
Replaces electromechanical relays, fuses and discrete circuits  
General Description  
N channel vertical power FET with charge pump, current controlled input and diagnostic feedback with load  
current sense, integrated in Smart SIPMOS chip on chip technology. Providing embedded protective functions.  
3 & Tab  
+ V  
bb  
R
bb  
Voltage  
source  
Current  
limit  
Overvoltage  
protection  
Gate  
protection  
1, 5  
OUT  
Limit for  
Voltage  
sensor  
Charge pump  
Level shifter  
Rectifier  
unclamped  
ind. loads  
I
L
Current  
Sense  
Output  
Voltage  
detection  
2
Load  
IN  
Logic  
ESD  
I
IN  
Temperature  
sensor  
I
IS  
PROFET  
IS  
Load GND  
4
V
IN  
R
V
IS  
IS  
Logic GND  
Infineon Technologies AG  
Page 1 of 16  
2003-Oct-01  
1234567...16

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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