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INA111BUE4

更新时间： 2024-01-31 07:51:52

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BB		仪表放大器光电二极管 PC
页数	文件大小	规格书
14页	242K
描述
High Speed FET-Input INSTRUMENTATION AMPLIFIER

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INA111BUE4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOIC-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.61	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	154256
Samacsys Pin Count：	16	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	Small Outline Packages	Samacsys Footprint Name：	DW0016B
Samacsys Released Date：	2015-04-16 09:48:08	Is Samacsys：	N
放大器类型：	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.00002 µA
标称带宽 (3dB)：	2 MHz	最小共模抑制比：	80 dB
最大输入失调电流 (IIO)：	0.00001 µA	最大输入失调电压：	2500 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e4
长度：	10.3 mm	湿度敏感等级：	3
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
最大非线性：	0.02%	功能数量：	1
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP16,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
包装方法：	TUBE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	+-15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.65 mm	标称压摆率：	17 V/us
子类别：	Instrumentation Amplifier	最大压摆率：	4.5 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压增益：	10000
最小电压增益：	1	标称电压增益：	10
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

INA111BUE4 数据手册

PACKAGE OPTION ADDENDUM

www.ti.com

12-Jan-2007

to Customer on an annual basis.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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