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IKZA75N65RH5

更新时间： 2024-01-03 09:50:13

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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16页	1424K
描述
Silicon Carbide Schottky Diode;IGBT TRENCHSTOP? 5

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数据手册

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IKZA75N65RH5 数据手册

IKZA75N65RH5

™

CoolSiC Hybrid Discrete

2 IGBT

Table 3

(continued) Characteristic values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

Typ.

Unit

Min.

Max.

Zero gate-voltage collector

current

I_CES

V_CE= 650 V, V_GE= 0 V

T_vj= 25 °C

T_vj= 175 °C

T_vj= 25 °C

1000

µA

2500

Zero gate-voltage collector

current

I_CES

I_GES

V_CE= 480 V, V_GE= 0 V

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

I_C= 75 A, V_CE= 20 V

µA

Gate-emitter leakage

current

100

Transconductance

Input capacitance

Output capacitance

g_fs

C_ies

C_oes

C_res

105

4000

460

V_CE= 25 V, V_GE= 0 V, f = 250 kHz

Reverse transfer

capacitance

Gate charge

Q_G

I_C= 75 A, V_GE= 15 V, V_CC= 520 V

168

Turn-on delay time

t_d(on)

V_CC= 400 V, V_GE= 0/15 V, T_vj= 25 °C,

R_Gon= 9 Ω, R_Goﬀ= 9 Ω,

L_σ= 30 nH, C_σ= 30 pF

I_C= 37.5 A

T_vj= 25 °C,

I_C= 7.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 37.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 7.5 A

Rise time (inductive load)

t_r

V_CC= 400 V, V_GE= 0/15 V, T_vj= 25 °C,

R_Gon= 9 Ω, R_Goﬀ= 9 Ω,

L_σ= 30 nH, C_σ= 30 pF

I_C= 37.5 A

T_vj= 25 °C,

I_C= 7.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 37.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 7.5 A

Turn-oﬀ delay time

t_d(oﬀ)

V_CC= 400 V, V_GE= 0/15 V, T_vj= 25 °C,

180

220

205

240

R_Gon= 9 Ω, R_Goﬀ= 9 Ω,

L_σ= 30 nH, C_σ= 30 pF

I_C= 37.5 A

T_vj= 25 °C,

I_C= 7.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 37.5 A

T_vj= 150 °C,

I_C= 7.5 A

(table continues...)

Datasheet

Revision 1.10

2022-09-22

1 2 345 6 7...16

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