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IKQ50N120CH3

更新时间： 2023-12-06 20:11:33

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英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
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IGBT HighSpeed 3

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IKQ50N120CH3 数据手册

IKQ50N120CH3

HighꢀspeedꢀswitchingꢀseriesꢀthirdꢀgenerationꢀIGBT

200

175

150

125

100

200

V_GE=20V

17V

15V

13V

11V

T_vj= 25°C

T_vj= 175°C

175

150

125

100

V_CE,ꢀCOLLECTOR-EMITTERꢀVOLTAGEꢀ[V]

V_GE,ꢀGATE-EMITTERꢀVOLTAGEꢀ[V]

Figure 5. Typicalꢀoutputꢀcharacteristic

(T_vj=175°C)

Figure 6. Typicalꢀtransferꢀcharacteristic

(V_CE=20V)

5.0

1000

I_C= 25A

I_C= 50A

I_C= 100A

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

t_d(off)

t_f

t_d(on)

t_r

100

125

150

175

100

T_vj,ꢀJUNCTIONꢀTEMPERATUREꢀ[°C]

I_C,ꢀCOLLECTORꢀCURRENTꢀ[A]

Figure 7. Typicalꢀcollector-emitterꢀsaturationꢀvoltageꢀas Figure 8. Typicalꢀswitchingꢀtimesꢀasꢀaꢀfunctionꢀof

aꢀfunctionꢀofꢀjunctionꢀtemperature

collectorꢀcurrent

(V_GE=15V)

(inductiveꢀload,ꢀT_vj=175°C,ꢀV_CE=600V,

V_GE=0/15V,ꢀR_G=10Ω,ꢀDynamicꢀtestꢀcircuitꢀin

Figure E)

Datasheet

Vꢀ2.4

2019-04-15

1...4 5 678 9 10...16

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