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IKB15N60TATMA1

更新时间： 2024-02-05 03:43:07

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英飞凌 - INFINEON		栅开关功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	679K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IKB15N60TATMA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.66	其他特性：	HIGH SWITCHING SPEED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	291 ns	标称接通时间 (ton)：	32 ns
Base Number Matches：	1

IKB15N60TATMA1 数据手册

IKB15N60T

TRENCHSTOP™ Series

Low Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft,

fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode

Features:



Very low V_CE(sat)1.5V (typ.)

Maximum Junction Temperature 175°C

Short circuit withstand time 5s

Designed for frequency inverters for washing machines, fans, pumps and vacuum

cleaners



TRENCHSTOP™ technology for 600V applications offers :

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behavior

- very high switching speed



Positive temperature coefficient in V_CE(sat)

Low EMI

PG-TO263-3

Low Gate Charge

Qualified according to JEDEC¹for target applications

Pb-free lead plating; RoHS compliant

Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Type

V_CE

I_C

V_{CE(sat),Tj=25°C}

T_j,max

Marking Code

Package

IKB15N60T

600V 15A

1.5V

K15T60

PG-TO263-3

175C

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_CE

600

Collector-emitter voltage, T_j≥ 25C

DC collector current, limited by T_jmax

T_C= 25C, value limited by bondwire

T_C= 100C

I_C

Pulsed collector current, t_plimited by T_jmax

I_{Cpul s}

Turn off safe operating area, V_CE= 600V, T_j= 175C, t_p= 1µs

Diode forward current, limited by T_jmax

T_C= 25C, value limited by bondwire

T_C= 100C

I_F

Diode pulsed current, t_plimited by T_jmax

I_{Fpul s}

V_{G E}

Gate-emitter voltage

Short circuit withstand time²⁾

20

t_SC

s

V_GE= 15V, V_CC 400V, T_j 150C

Power dissipation T_C= 25C

P_tot

T_j

130

Operating junction temperature

Storage temperature

-40...+175

-55...+150

260

T_stg

C

Soldering temperature (reflow soldering, MSL1)

¹J-STD-020 and JESD-022

²⁾Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.

Rev. 2.8 11.05.2015

IFAG IPC TD VLS

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IKB15N65EH5ATMA1	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IKB20N60H3	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, GREEN, PL	获取价格
IKB20N60T	INFINEON	IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio	获取价格
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IKB30N65EH5	INFINEON	IGBT TRENCHSTOP? 5	获取价格

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