是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | CAVITY DOWN, CERAMIC, PGA-84 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.31.00.01 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | 5 PIPELINE STAGES; CACHE COHERENCY SUPPORT; MMU WITH 64 ENTRY TLB | 地址总线宽度: | 32 |
位大小: | 32 | 边界扫描: | NO |
最大时钟频率: | 40 MHz | 外部数据总线宽度: | 32 |
格式: | FLOATING POINT | 集成缓存: | NO |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 30.6705 mm | 低功率模式: | YES |
DMA 通道数量: | 外部中断装置数量: | 6 | |
串行 I/O 数: | 端子数量: | 84 | |
片上数据RAM宽度: | 最高工作温度: | 125 °C | |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | RAM(字数): | 0 |
座面最大高度: | 5.207 mm | 速度: | 20 MHz |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 30.6705 mm |
uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROPROCESSOR, RISC | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT79R3081E20GM | ETC | Microprocessor |
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IDT79R3081E-20J | IDT | RISController with FPA |
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IDT79R3081E-20JB | IDT | RISController with FPA |
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IDT79R3081E-20JM | IDT | RISController with FPA |
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IDT79R3081E-20MJ | IDT | RISController with FPA |
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IDT79R3081E20MJB | ETC | Microprocessor |
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