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IDT72V251L10PF8

更新时间： 2024-02-10 01:16:25

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艾迪悌 - IDT		时钟先进先出芯片内存集成电路
页数	文件大小	规格书
14页	113K
描述
FIFO, 8KX9, 6.5ns, Synchronous, CMOS, PQFP32, PLASTIC, TQFP-32

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IDT72V251L10PF8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	PLASTIC, TQFP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.42
最长访问时间：	6.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
周期时间：	10 ns	JESD-30 代码：	S-PQFP-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	7 mm
内存密度：	73728 bit	内存集成电路类型：	OTHER FIFO
内存宽度：	9	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX9
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	TQFP32,.35SQ,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	FIFOs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	7 mm
Base Number Matches：	1

IDT72V251L10PF8 数据手册

IDT72V201/72V211/72V221/72V231/72V241/72V251 3.3V CMOS SyncFIFO™

256 x 9, 512 x 9, 1,024 x 9, 2,048 x 9, 4,096 x 9 and 8,192 x 9

COMMERCIALANDINDUSTRIAL

TEMPERATURERANGES

ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS⁽¹⁾

RECOMMENDEDOPERATING

CONDITIONS

Symbol

V^TERM

Rating

TerminalVoltagewith

RespecttoGND

Com'l & Ind'l

–0.5 to +5

Unit

(2)

Symbol

Parameter

Min.

3.0

Typ. Max. Unit

V^CC

SupplyVoltage

3.3

3.6

Commercial/Industrial

SupplyVoltage

T^STG

I^OUT

StorageTemperature

DCOutputCurrent

–55 to+125

–50 to +50

°C

GND

V^IH

InputHighVoltage

Commercial/Industrial

InputLowVoltage

Commercial/Industrial

2.0

—

5.5

NOTE:

1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause

permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation

of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational

sections of the specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating

conditions for extended periods may affect reliability.

V^IL

T^A

-0.5

—

0.8

°C

OperatingTemperature

Commercial

2. VCC terminal only.

OperatingTemperature

Industrial

-40

DCELECTRICALCHARACTERISTICS

(Commercial: VCC = 3.3V ± 0.3V, TA = 0°C to +70°C;Industrial: VCC = 3.3V ± 0.3V, TA = -40°C to +85°C)

IDT72V201

IDT72V211

IDT72V221

IDT72V231

IDT72V241

IDT72V251

(1)

Commercial and Industrial

tCLK = 10, 15, 20 ns

Typ.

Symbol

Parameter

InputLeakageCurrent(AnyInput)

OutputLeakageCurrent

Min.

–1

Max.

Unit

µA

(2)

ILI

—

(3)

ILO

–10

2.4

—

0.4

VOH

VOL

Output Logic “1” Voltage, IOH = –2mA

Output Logic “0” Voltage, IOL = 8mA

Active Power Supply Current

StandbyCurrent

(4,5,6)

ICC1

—

(4,7)

ICC2

—

NOTES:

1. Industrial temperature range product for the 15ns speed grade is available as a standard device. All other speed grades are available by special order.

2. Measurements with 0.4 ≤ VIN ≤ VCC.

3. OE ≥ V^IH,0.4 ≤ VOUT ≤ VCC.

4. Tested with outputs disabled (I^OUT= 0).

5. RCLK and WCLK toggle at 20 MHz and data inputs switch at 10 MHz.

6. Typical ICC1 = 0.17 + 0.48*fS + 0.02*CL*fS (in mA) with VCC = 3.3V, TA = 25°C, fS = WCLK frequency = RCLK frequency (in MHz, using TTL levels), data switching at fS/2,

C^L= capacitive load (in pF).

7. All Inputs = V^CC- 0.2V or GND + 0.2V, except RCLK and WCLK, which toggle at 20 MHz.

CAPACITANCE (TA = +25°C, f = 1.0MHz)

Symbol

Parameter

Conditions

Max.

Unit

(2)

C^IN

InputCapacitance

VIN = 0V

(1,2)

C^OUT

OutputCapacitance

VOUT = 0V

NOTES:

1. With output deselected (OE ≥ VIH).

2. Characterized values, not currently tested.

1 234 5 6 7...14

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