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IDT72801L35TFSCDS-W

更新时间: 2024-01-12 01:41:51
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其他 - ETC 先进先出芯片
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20页 1532K
描述
x9 Synchronous FIFO

IDT72801L35TFSCDS-W 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.92最长访问时间:20 ns
最大时钟频率 (fCLK):28.6 MHzJESD-30 代码:S-PQFP-G64
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9湿度敏感等级:3
端子数量:64字数:512 words
字数代码:512工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512X9封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP64,.47SQ,20
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):240电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.01 A
子类别:FIFOs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20Base Number Matches:1

IDT72801L35TFSCDS-W 数据手册

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