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IDT71682SA55FB

更新时间： 2024-02-15 06:25:45

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	243K
描述
Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, CDFP24, FP-24

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IDT71682SA55FB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	FP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-CDFP-F24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL24,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.286 mm
最大待机电流：	0.01 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9.9 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IDT71682SA55L	ETC	x4 SRAM	获取价格
IDT71682SA55LB	ETC	x4 SRAM	获取价格
IDT71682SA55LB8	IDT	Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28	获取价格
IDT71682SA55P	IDT	Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, PDIP24	获取价格
IDT71682SA55SO	IDT	Standard SRAM, 4KX4, 55ns, CMOS, PDSO24	获取价格
IDT71682SA70CB	ETC	x4 SRAM	获取价格