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IDT71256S30L28

更新时间: 2024-11-19 19:12:43
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 254K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT71256S30L28 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:LCC-28针数:28
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.73
最长访问时间:30 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CQCC-N28JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC28,.35X.55
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

IDT71256S30L28 数据手册

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