是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
针数: | 80 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 147456 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 80 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP80,.64SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.215 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT70V16S15PFG | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX9, 15ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80 |
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IDT70V16S15PFI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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IDT70V16S20J | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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IDT70V16S20JG | IDT | Dual-Port SRAM, 16KX9, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LC |
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IDT70V16S20JGI | IDT | 暂无描述 |
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IDT70V16S20JI | IDT | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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