Datasheet > IDT70125L45L52B

IDT70125L45L52B

更新时间： 2024-01-26 15:58:54

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70125L45L52B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-52	针数：	52
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQCC-N52	JESD-609代码：	e0
长度：	19.05 mm	内存密度：	18432 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	9
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	52	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX9	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC52,.75SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.2098 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	19.05 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IDT70125L55J	IDT	HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT	获取价格
IDT70125L55J8	IDT	Dual-Port SRAM, 2KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,	获取价格
IDT70125L55JG	IDT	HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT	获取价格
IDT70125L55JGI	IDT	HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT	获取价格
IDT70125L55L52	ETC	x9 Dual-Port SRAM	获取价格
IDT70125L55L52B	ETC	x9 Dual-Port SRAM	获取价格