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IDT6116SA35YG8

更新时间： 2024-02-20 05:00:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 110K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

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IDT6116SA35YG8 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, SOJ-24
针数：24Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.65Is Samacsys：N
最长访问时间：35 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J24JESD-609代码：e3
长度：15.88 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：2048 words
字数代码：2000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2KX8输出特性：3-STATE
可输出：YES封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.002 A
最小待机电流：4.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.1 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IDT6116SA35YG8 数据手册

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IDT6116SA/LA  
CMOS Static RAM 2K (16K x 8-Bit)  
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges  
RecommendedOperating  
TemperatureandSupplyVoltage  
Ambient  
RecommendedDC  
OperatingConditions  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Typ.  
5.0  
0
Max.  
Unit  
V
Grade  
Temperature  
-55OC to +125OC  
-45OC to +85OC  
0OC to +70OC  
GND  
Vcc  
(2 )  
VCC  
Supply Voltage  
4.5  
5.5  
Military  
0V  
5.0V ± 10%  
5.0V ± 10%  
5.0V ± 10%  
GND Ground  
0
0
V
Industrial  
0V  
V
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
2.2  
3.5  
V
CC +0.5  
V
IH  
Commercial  
0V  
-0.5(1 )  
0.8  
V
____  
VIL  
3089 tbl 05  
3089 tbl 06  
NOTES:  
1. VIL (min.) = –3.0V for pulse width less than 20ns, once per cycle.  
2. VIN must not exceed VCC +0.5V.  
DC Electrical Characteristics  
(VCC = 5.0V ± 10%)  
IDT6116SA  
IDT6116LA  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
____  
____  
____  
____  
Input Leakage Current  
|ILI|  
VCC = Max.,  
IN = GND to V  
MIL.  
COM'L.  
10  
5
5
2
µA  
V
CC  
____  
____  
____  
____  
|ILO|  
Output Leakage Current  
VCC = Max., CS = VIH,  
MIL.  
COM'L.  
10  
5
5
2
µA  
V
VOUT = GND to VCC  
____  
____  
V
OL  
Output Low Voltage  
Output High Voltage  
IOL = 8mA, VCC = Min.  
IOH = -4mA, VCC = Min.  
0.4  
0.4  
____  
____  
VOH  
2.4  
2.4  
V
3089 tbl 07  
DCElectricalCharacteristics(1)  
(VCC = 5.0V ± 10%, VLC = 0.2V, VHC = VCC - 0.2V)  
6116SA20  
6116LA20  
6116SA25  
6116LA25  
6116SA35  
6116LA35  
6116SA15  
Com'l  
Only  
Com'l  
Com'l  
Com'l.  
& Ind  
105  
95  
& Ind  
Symbol  
Parameter  
Power  
SA  
Mil  
130  
120  
150  
140  
Mil  
90  
& Ind.  
Mil  
90  
Unit  
I
Operating Power Supply Current  
CS < VIL, Outputs Open  
VCC = Max., f = 0  
mA  
CC1  
105  
95  
80  
80  
LA  
75  
85  
75  
85  
I
Dynamic Operating Current  
mA  
mA  
CC2  
SA  
150  
140  
130  
120  
120  
110  
135  
125  
100  
95  
115  
105  
CS < VIL, Outputs Open  
(2 )  
LA  
VCC = Max., f = fMAX  
I
SB  
Standby Power Supply Current  
(TTL Level)  
SA  
LA  
SA  
LA  
40  
35  
2
40  
35  
2
50  
45  
10  
0.9  
40  
35  
2
45  
40  
10  
0.9  
25  
25  
2
35  
30  
CS > VIH, Outputs Open  
(2 )  
VCC = Max., f = fMAX  
ISB1  
Full Standby Power Supply Current  
(CMOS Level)  
CS > VHC, VCC = Max.,  
VIN < VLC or VIN > VHC, f = 0  
mA  
10  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.9  
3089 tbl 08  
NOTES:  
1. All values are maximum guaranteed values.  
2. fMAX = 1/tRC, only address inputs are cycling at fMAX, f = 0 means address inputs are not changing.  
6.42  
3
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