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IDT6116LA30F

更新时间： 2024-09-24 20:32:15

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	275K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDFP24, FP-24

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IDT6116LA30F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	FP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	29 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDFP-F24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL24,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.286 mm	最大待机电流：	0.00002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9.9 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT6116LA30FB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDFP24, FP-24
IDT6116LA30L28	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT6116LA30L32B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA30L32BG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA30L32G	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT6116LA30P	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT6116LA30SO	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24
IDT6116LA30TD	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, THIN, CERDIP-24
IDT6116LA30TDB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, THIN, CERDIP-24
IDT6116LA30TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-24