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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOIC-24 |
| 针数： | 24 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.71 | 最长访问时间： | 29 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15.4 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP24,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大待机电流： | 0.00002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.105 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT6116LA30TD | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, THIN, CERDIP-24 |
|
| IDT6116LA30TDB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, THIN, CERDIP-24 |
|
| IDT6116LA30TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 29ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-24 |
|
| IDT6116LA35D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
|
| IDT6116LA35DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT) |
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| IDT6116LA35E | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDFP24, 0.300 INCH, CERPACK-24 |
|
| IDT6116LA35L24 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 |
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| IDT6116LA35L24B | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC24, LCC-24 |
|
| IDT6116LA35L28 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT6116LA35L288 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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